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氮化镓、碳化硅的HB-LED技术研究及发展

主办单位: 中国科学院老科协  中国科学院半导体研究所
承办单位:中科院老科协半导体所分会,民主同盟中科院半导体所支部,中科院半导体所离退休办公室
举办时间:2017-10-13       【字号:
高亮度半导体发光二极管(HB-LED)是半导体照明的关键器件。基于蓝宝石衬底的氮化镓基LED具有成本较低,适合于大规模生产等优势,应用最广泛。在蓝宝石衬底上外延生长的氮化镓由于晶格失配等原因,会产生应力,并导致比较大的位错密度。沿极性面生长,又会使电子空穴波函数发生分离,从而导致发光效率的降低。因此为降低位错密度、提高发光效率,在蓝宝石衬底外延氮化鎵的HB-LED的技术成为当前研究的重要方向。碳化硅具有高热导、耐高压、高饱和电子漂移速率等优异性能,与氮化镓晶格的失配率远优于蓝宝石,但是成本较高,在高亮度LED高端应用上有一定优势。本次沙龙就这两种HB-LED的技术和发展前景进行了讨论。
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